製品情報

 STウェーハとは、シリコンにBとGeを同時添加することで結晶中の転位の伝播を抑制し、機械的強度を向上させたシリコン単結晶ウェーハです。

 熱衝撃にも強く、高温の処理やエピタキシャル成長時におけるスリップ、反りの抑制効果が高いといった特性を有しています。 近年注目されている窒化ガリウム(GaN)などのヘテロエピタキシャル成長に最も適した基板としてご使用いただけます。