ST硅片(功率半导体基板)
产品信息
[ST硅片]是一种单晶硅片，在制造过程中通过掺杂B和Ge来提高机械强度。
其特点是在高温过程中具有较强的抗热冲击性能，能有效减少滑移和翘曲值等异质外延生长。
产品规格
- 直径 : 4寸、5寸、6寸
- 掺杂剂 : B-Ge (P type)
- 晶向 : <111>
- 电阻率 : ≤0.02 Ohm-cm
主应用程序
- GaN-on-Si (功率半导体衬底)
强度检测
热冲击测试
【条件】 1100℃×1h(湿氧)、5次循环 【评价项目】滑移、翘曲
滑距长度和翘曲值
相比轻掺/重掺，ST晶圆具有较强的抗热冲击性能。
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