超高平坦度基板(Ultra High Flatness Wafer)
製品情報
通常の半導体向け単結晶基板を小口径基板においても高平坦度化を実現いたしました。 通常加工において、平坦度(TTV)が≤3umが限界の加工精度であったところをTTV≤1um化を実現、ご要求仕様によっては更なる高平坦度化にお応えします。
ベース基板の高平坦度が要求される、接合基板やフォトリソ加工における優位性はもちろん、基板上に形成する様々なデポジション膜への均一性にも寄与する基板となり、今後精密性を求められるデバイスに用途は広がります。
また、基板メーカーならではのインゴット時からの作りこみとなるため、基板厚み調整、エッジ形状のシンメトリー化もでき、お客様での煩わしい加工管理、時間の短縮、コスト削減、歩留向上にもお役に立つことが可能です。
◎標準製品仕様
- 口径:4,6 inch
- TTV:≤1um(実力:≤0.5um)
- 導電型:P型(B),N型(Phos,Sb),FZ
- 結晶軸:<100>,<110>,<111>
- 抵抗率: ≤0.005 ~ 40 Ωcm
- 面状態:SSP、DSP
◎主な用途
- 接合用基板
(SOI・LT・TC-SAW etc) - フォトリソ加工用基板
- その他TTVが影響するプロセス用途
◎効果的な事例
- 接合用支持基板の薄化、平坦度化する時間・コストを削減したい
- 外周部の歩留まり改善
<加工仕様>
※更に上記以外では、以下のようなオプション加工も承ります。
- SOIテラスフリー化実現のための口径微大化(101,151mm)
- 追加BOX酸化膜加工
- ノッチ化
- ノンドープ≥1000Ω品(FZ)
また、更なる加工精度、カスタマイズを要求されるお客様にも、条件出しを繰り返しながら共同研究開発も可能です。お問い合わせはこちら