単結晶育成

単結晶の育成・切断・円筒加工を行います。

弊社では、CZ法での単結晶育成を行っております。高純度のポリシリコンと電気抵抗率調整用のドーパントを石英ルツボに投入し、
約1420℃で溶融します。 そして、種結晶シリコン棒をシリコン融液の液面につけ、回転させながら引き上げることで種結晶と同じ結晶軸の
単結晶インゴットを造ります。

切断・円筒加工

単結晶インゴットをブロックに切断し、外周面を研削することで歪みを取り除き一定の直径にします。また、結晶方位がわかるように
オリエンテーションフラット加工やノッチ加工を行っております。 その他の加工もお客様のご要望に合わせて行っております。