製品情報
弊社では半導体用材料としてシリコン単結晶、ウェーハの製造・販売を行っております。 4~6 inchの小口径に特化し、単結晶育成から鏡面ウェーハ加工まで一貫した生産ラインにて 製品を製造しております。 素材となる単結晶も自社内で製造しておりますので、お客様のご要望にマッチした特性の製品を ご提供させて頂きます。
1. 単結晶
製品仕様
- 単結晶育成法：CZ法、(FZ法)
- 口径：4、5、6、(8) inch
- ドーパント：B、P、Sb、(As)
- 結晶軸：<100>、<111>、<110>
抵抗率：ライトドープ 0.1 ~ 40.0 Ωcm ヘビードープ 0.001 ~ 0.1 Ωcm
- 酸素濃度：10 ~ 18×1017 atoms/cm3 (ASTM FM121-79)
- 炭素濃度：≤5×1016 atoms/cm3
- OSF：≤50 pcs/cm2
2. 各種ウェーハ
- ポリッシュドウェーハ(PW)
- 鏡面加工により、表面粗さの小さい、高平坦度、高清浄度に仕上げたウェーハ
- エッチドウェーハ(CW)
- 加工歪層を除去し、表面を滑らかにしたウェーハ
- ラップドウェーハ(LW)
- 切断で発生した加工歪層を薄くし、平坦度を高めたウェーハ
製品仕様に関しましてはオーダーメイドにて承りますので、お気軽にお問い合わせください。
3. 特殊加工品
ご要望に応じてウェーハに裏面ダメージ処理、酸化膜処理、レーザーマーク処理等の加工も行っております。