腐蚀片(CW)制造工艺

STC将晶棒切割成晶片形状，然后通过倒角工艺处理外形。再通过研磨工艺对晶片表面进行粗糙抛光，以减少腐蚀工艺带来的表面损伤，并通过退火工艺去除晶片中的氧分子稳定电阻率。

切片

将单晶硅棒用切片工具切成几何形状的薄晶片。

切片后的晶片外缘很锋利，为防止晶片边缘破裂以及在抛光处理中产生颗粒，将晶片的锐利边缘按照合适的直径修整成圆弧形。

晶片表面有切片和研磨造成的锯痕和表面损伤层，研磨能有效改善将单晶硅片的曲度、光滑度和平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。

经切片、倒角及研磨过程等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层采用化学腐蚀去除。

在用直拉法长晶的过程中，石英坩埚中产生的氧会转换成氧施主并混入晶体。为获得稳定的电阻率值，STC将晶片放入高温炉中快速冷却，使氧施主回到间隙氧状态，消除氧施主对电阻率测试的影响。