株式会社シリコンテクノロジー

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STウェーハ(パワー半導体用基板)

製品情報

 STウェーハとは、シリコンにBとGeを同時添加することで結晶中の転移の伝播を抑制し、機械的強度を向上させたシリコン単結晶ウェーハです。

 熱衝撃にも強く、高温の処理がエピタキシャル成長時におけるスリップ、反りの抑制効果が高いといった特性を有しています。 近年注目されている窒化ガリウム(GaN)などのヘテロエピタキシャル成長に最も適した基板としてご使用いただけます。

製品仕様

主な用途

強度評価

熱ショック試験

【条件】 1100℃×1h(wet O2)、5 cycles  【評価項目】スリップ、反り

スリップ発生長とWarp(反り)変化量

スリップグラフ Warpグラフ

ライトドープ品、ヘビードープ品と比較して熱衝撃に強いウェーハとなっております。